封装/外壳 SOT-23

晶体管类型 NPN

Vce饱和压降(Max) -

DC电流增益(hFE)(Min&Range) -

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 200mW

跃迁频率 250MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 30

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 250mW

跃迁频率 -

封装/外壳 SOT-346

Vce饱和压降(Max) 3000mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) -

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 200mW

跃迁频率 250MHz

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOD-323

晶体管类型 PNP

集电极电流Ic(Max) 5A

集射极击穿电压Vce(Max) 100V

功率(Max) 2W

跃迁频率 -

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

Vce饱和压降(Max) 50V

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 80

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 150mW

跃迁频率 250MHz

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-363

阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA

导通电阻Rds On(Max) 7.5Ω

漏源电压(Vdss) 40V

FET类型 N沟道

元件生命周期 Active

原产国家 China

原始制造商 Shanghai Prisemi Electronics Co.,Ltd

品牌 Prisemi

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

晶体管类型 NPN

集电极电流Ic(Max) 100mA

功率(Max) 150mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-523

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 60

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 250mW

跃迁频率 -

封装/外壳 SOT-346

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 250mW

跃迁频率 230MHz

封装/外壳 SOT-346

Vce饱和压降(Max) 300mV

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 150mW

跃迁频率 250MHz

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-363