NPN Ic=2A Vceo=60V hfe=1K~10K fT=80MHz P=10W
品牌:ROHM
历史库存:1800
历史单价:1.73037(最新价格请咨询)
集电极电流Ic(Max) 2000mA
集射极击穿电压Vce(Max) 60V
封装/外壳 SOT-428,DPAK
NPN Ic=8A Vceo=100V hfe=100~12000 P=1.75W
品牌:ON
历史库存:1931
历史单价:2.36250(最新价格请咨询)
晶体管类型 NPN
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 100
集电极电流Ic(Max) 8A
集射极击穿电压Vce(Max) 100V
8NPN Ic=500mA Vceo=50V 8通路
品牌:TI
历史库存:0
历史单价:8.36200(最新价格请咨询)
DC电流增益(hFE)(Min&Range) -
集电极电流Ic(Max) 500mA
集射极击穿电压Vce(Max) 50V
NPN Ic=500mA Vceo=60V P=300mW
品牌:JCET
历史库存:1995
历史单价:0.20459(最新价格请咨询)
工作温度(Tj) 150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)
NPN Ic=8A Vceo=100V P=1.5W
历史库存:2495
历史单价:0.92400(最新价格请咨询)
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 50A 300W Through Hole TO-3
历史库存:销售,并且可以通过 Digikey、Chip1stop、 等渠道进行代购。MJ11033G价格参考¥41.40000。ONMJ11033G封装/规格:TO-3,Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 50A 300W Through Hole TO-3。你可以下载MJ11033G中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有达林顿三极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版:MJ1
历史单价:41.40000(最新价格请咨询)
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
晶体管类型 PNP
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 1000
集电极电流Ic(Max) 50A
集射极击穿电压Vce(Max) 120V
工作温度(Tj) -55°C~200°C
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 TO-3
NPN Ic=500mA Vceo=60V P=250mW
品牌:Nexperia
历史库存:2880
历史单价:0.50850(最新价格请咨询)
NPN Ic=500mA P=1.25W 7通道
品牌:UTC
历史库存:948
历史单价:0.59920(最新价格请咨询)
输入电容(Ciss)(Max) 15pF
工作温度(Tj) -40°C~85°C
封装/外壳 SOP-16
NPN IC=500mA hfe=1000@350mA,2V
历史库存:961
历史单价:0.91000(最新价格请咨询)
封装/外壳 SOIC-16
NPN Ic=500mA P=625mW
历史库存:40
历史单价:1.17000(最新价格请咨询)
关断延迟时间 1µs
开通延迟时间 1µs
输入电容(Ciss)(Max) 25pF
安装类型 DIP
封装/外壳 DIP-18