DFN5x6 Vdss : 30V Id : 83A
品牌：AOS
历史库存：38
历史单价：1.84783（最新价格请咨询）
FET类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流Id@25℃ 83A
导通电阻Rds On(Max) 5.2mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 35nC
输入电容(Ciss)(Max) 1330pF
功率(Max) 36W
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 DFN5x6
N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=340mA P=350mW
品牌：JCET
历史库存：14319
历史单价：0.11101（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.5V@1mA
漏极电流Idss 300mA
漏源极电压（Vdss） 60V
漏源电压(Vdss) 20V
导通电阻Rds On(Max) 2Ω
功率(Max) 350mW
封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ 2.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V 250μA
品牌：BORN
历史库存：2960
历史单价：0.12750（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1V@250µA
漏极电流Idss 3A
漏源极电压（Vdss） 20V
连续漏极电流Id@25℃ 3A
功率(Max) 1W
封装/外壳 SOT-23
N沟道 20V 20mΩ 1.25W 550pF 9.5nC
品牌：PJ
历史库存：50
历史单价：0.19240（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 0.7V@250uA
连续漏极电流Id@25℃ 5A
导通电阻Rds On(Max) 20mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 9.5nC
输入电容(Ciss)(Max) 550pF
功率(Max) 1.25W
工作温度(Tj) 150°C
封装/外壳 SOT-23-6
N沟道 VDS=50V VGS=20V ID=0.3A P=300mW
品牌：UMW
历史库存：1845
历史单价：0.09450（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA
漏极电流Idss 0.3A
漏源极电压（Vdss） 50V
漏源电压(Vdss) 50V
连续漏极电流Id@25℃ 300mA
导通电阻Rds On(Max) 2.5Ω
功率(Max) 300mW
P沟道 VDS=-12V VGS=±8V ID=-4.1A P=350mW
历史库存：2880
历史单价：0.25500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 900mV@250µA
漏极电流Idss 4.1A
FET类型 P沟道
漏源极电压（Vdss） 12V
漏源电压(Vdss) 12V
导通电阻Rds On(Max) 30mΩ
N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=750mA P=350mW
历史库存：5780
历史单价：0.19505（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.1V@250µA
漏极电流Idss 750mA
连续漏极电流Id@25℃ 750mA
导通电阻Rds On(Max) 270mΩ
N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A
品牌：Hottech
历史库存：2795
历史单价：0.23995（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 3V@250µA
漏极电流Idss 5.8A
漏源极电压（Vdss） 30V
连续漏极电流Id@25℃ 5.8A
2N沟道 VDS=19.5V VGS=±10V ID=6A P=1.5W 2通路
历史库存：2849
历史单价：0.36749（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 700mV@250µA
漏极电流Idss 6A
FET类型 N+N沟道
漏源极电压（Vdss） 19.50V
漏源电压(Vdss) 19.5V
导通电阻Rds On(Max) 21mΩ
功率(Max) 1.5W
封装/外壳 TSSOP-8
N沟道 VDS=30V VGS=±10V ID=5A
历史库存：2900
历史单价：0.30000（最新价格请咨询）
漏极电流Idss 5A
导通电阻Rds On(Max) 42mΩ
