阈值电压Vgs(th) 2.1V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 7.5毫欧@20A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 86A

导通电阻Rds On(Max) 7.5mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 31nC

输入电容(Ciss)(Max) 4570pF

功率(Max) 147W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 1.5V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 49毫欧@10A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 23A

导通电阻Rds On(Max) 49mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 18nC

输入电容(Ciss)(Max) 2130pF

功率(Max) 75W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 2.1V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4.1毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 4.1mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 54.8nC

输入电容(Ciss)(Max) 7853pF

功率(Max) 238W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 2.1V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.7毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 3.7mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 26.8nC

输入电容(Ciss)(Max) 4077pF

功率(Max) 147W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 2.1V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 41毫欧@5A，10V

漏源极电压（Vdss） 80V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 80V

连续漏极电流Id@25℃ 24A

导通电阻Rds On(Max) 41mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 11.9nC

输入电容(Ciss)(Max) 1570pF

功率(Max) 64W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 10毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 55V

连续漏极电流Id@25℃ 375A

导通电阻Rds On(Max) 10mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 31nC

输入电容(Ciss)(Max) 3693pF

功率(Max) 157W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2.1V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2.4毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 2.4mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 80.6nC

输入电容(Ciss)(Max) 10285pF

功率(Max) 263W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 27毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 49A

导通电阻Rds On(Max) 27mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 4293pF

功率(Max) 166W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 173毫欧@5A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 11A

导通电阻Rds On(Max) 173mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 619pF

功率(Max) 54W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2.1V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 7.5欧姆@100mA，10V

漏源极电压（Vdss） 50V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 50V

连续漏极电流Id@25℃ 230mA

导通电阻Rds On(Max) 7.5Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 0.35nC

输入电容(Ciss)(Max) 36pF

功率(Max) 360mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-883B,DFN1006B-3