阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

漏极电流Idss 6.6A

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 29毫欧@4A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 12V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 12V

连续漏极电流Id@25℃ 6.6A

导通电阻Rds On(Max) 29mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 26.1nC

输入电容(Ciss)(Max) 1357.4pF

功率(Max) 613mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 X1-DFN1616-6