阈值电压Vgs(th) 800mV@250µA

漏极电流Idss 6A

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 20V

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 65mΩ

功率(Max) 1.25W

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

漏极电流Idss 19.7A

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 9.8毫欧@13A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 8.1mΩ

功率(Max) 2.5W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SO-8

阈值电压Vgs(th) 5V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 35毫欧@35A，10V

漏源极电压（Vdss） 200V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

栅极电荷(Qg)(Max) 86nC

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 TO-3P

阈值电压Vgs(th) 2.2V@250µA

漏极电流Idss 35A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 6毫欧@19A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 6mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 42nC

输入电容(Ciss)(Max) 1700pF

功率(Max) 3.8W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 4V@100µA

漏极电流Idss 56A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 9毫欧@46A，10V

漏源极电压（Vdss） 75V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 75V

导通电阻Rds On(Max) 9mΩ

输入电容(Ciss)(Max) 3070pF

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 4V@250µA

漏极电流Idss 31A

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 65毫欧@16A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 55V

导通电阻Rds On(Max) 65mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 63nC

功率(Max) 110W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 4V@250µA

漏极电流Idss 11A

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 175毫欧@6.6A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 55V

导通电阻Rds On(Max) 175mΩ

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK

阈值电压Vgs(th) 4V@250µA

漏极电流Idss 29A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 40毫欧@16A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 55V

导通电阻Rds On(Max) 40mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 34nC

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) -

漏极电流Idss 1A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 100毫欧@500mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 不可用于新设计

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 75mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 220pF

功率(Max) 500mW

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3L

阈值电压Vgs(th) 2V@250µA

漏极电流Idss 5.8A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 28毫欧@5.8A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 4.6A

导通电阻Rds On(Max) 28mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 5.3nC

输入电容(Ciss)(Max) 498pF

功率(Max) 720mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)