2P沟道 VDS=-20V VGS=±12V ID=-5.8A 2通路
品牌：WINSOK
历史库存：2055
历史单价：0.40500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.1V@250µA
漏极电流Idss -5.8A
FET类型 P+P沟道
漏源极电压（Vdss） -20V
漏源电压(Vdss) 20V
导通电阻Rds On(Max) 40mΩ
功率(Max) 2W
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOP-8
N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=15A
历史库存：2340
历史单价：0.86800（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2V@250µA
漏极电流Idss 15A
FET类型 N沟道
漏源极电压（Vdss） 100V
漏源电压(Vdss) 100V
导通电阻Rds On(Max) 80mΩ
功率(Max) 60W
封装/外壳 TO-252
P沟道 VDS=-20V VGS=±12V ID=-4.4A
历史库存：3000
历史单价：0.31500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 800mV@250µA
漏极电流Idss -4.4A
FET类型 P沟道
导通电阻Rds On(Max) 50mΩ
功率(Max) 1W
封装/外壳 SOT-23
P沟道 VDS=-12V VGS=±8V ID=-6A
历史库存：985
历史单价：0.43500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 500mV@250µA
漏极电流Idss -6A
漏源极电压（Vdss） -12V
漏源电压(Vdss) 12V
导通电阻Rds On(Max) 23mΩ
封装/外壳 SOT-23N
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=12A
历史库存：2455
历史单价：0.81200（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.9V@250µA
漏极电流Idss 12A
漏源极电压（Vdss） 30V
漏源电压(Vdss) 30V
导通电阻Rds On(Max) 9.5mΩ
功率(Max) 3.1W
N沟道 VDS=100V VGS=±25V ID=85A
历史库存：97
历史单价：3.90000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 3V@250µA
漏极电流Idss 85A
导通电阻Rds On(Max) 10mΩ
功率(Max) 150W
P沟道 VDS=-12V VGS=±8V ID=-3.5A
品牌：FM
历史库存：18000
历史单价：0.13502（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.4V@250µA
漏极电流Idss -3.5A
导通电阻Rds On(Max) 55mΩ
封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)
P沟道 VDS=-9V VGS=±8.5V ID=-2A P=1.25W
历史库存：17675
历史单价：0.08996（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1V@250µA
漏极电流Idss -2A
漏源极电压（Vdss） -9V
漏源电压(Vdss) 9V
连续漏极电流Id@25℃ 2000mA
导通电阻Rds On(Max) 105mΩ
功率(Max) 1.25W
2N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=6A P=2W 2通路
历史库存：708
历史单价：0.19505（最新价格请咨询）
漏极电流Idss 6A
FET类型 N+N沟道
元件生命周期 Active
原产国家 China
原始制造商 FM Microelectronics Group Co., Ltd
品牌 FM
漏源极电压（Vdss） 20V
零件状态 在售
导通电阻Rds On(Max) 25mΩ
工作温度(Tj) -55°C~150°C
封装/外壳 SOT-23-6
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
品牌：ON
历史库存：20
历史单价：3.48396（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 5V@250µA
漏极电流Idss 1.6A
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 9欧姆@800mA，10V
漏源极电压（Vdss） 1000V（1kV）
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
漏源电压(Vdss) 1000V
导通电阻Rds On(Max) 7.1Ω
功率(Max) 2.5W
封装/外壳 SOT-428,DPAK
