N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=85A
品牌：WINSOK
历史库存：180
历史单价：1.91700（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.7V@250µA
漏极电流Idss 85A
FET类型 N沟道
漏源极电压（Vdss） 30V
漏源电压(Vdss) 30V
导通电阻Rds On(Max) 1.7mΩ
功率(Max) 50W
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 DFN5X6-8
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=40A
历史库存：500
历史单价：1.26000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 850mV@250µA
漏极电流Idss 40A
导通电阻Rds On(Max) 9mΩ
功率(Max) 32W
P沟道 VDS=-50V VGS=±20V ID=-130mA P=25mW
品牌：JCET
历史库存：5
历史单价：0.27072（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2V@250µA
漏极电流Idss -130mA
FET类型 P沟道
漏源极电压（Vdss） -50V
漏源电压(Vdss) 50V
连续漏极电流Id@25℃ 130mA
导通电阻Rds On(Max) 10Ω
功率(Max) 225mW
封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)
MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN
品牌：AOS
历史库存：485
历史单价：1.97500（最新价格请咨询）
漏源电压(Vdss) -30V
连续漏极电流Id@25℃ -34A
导通电阻Rds On(Max) 7.8mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 70nC
输入电容(Ciss)(Max) 2830pF
功率(Max) 30W
工作温度(Tj) -55°C~150°C
封装/外壳 DFN3x3
TO252 Vgs(Max) : 50A Vdss : 40V
历史库存：35
历史单价：2.93800（最新价格请咨询）
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流Id@25℃ 50A
导通电阻Rds On(Max) 8mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 35.4nC
输入电容(Ciss)(Max) 1500pF
工作温度(Tj) -55°C~175°C
封装/外壳 TO-252-2(DPAK)
P沟道 VDS=-20V VGS=±8V ID=-2.5A P=0.35W
品牌：UMW
历史库存：2761
历史单价：0.14400（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1V@250µA
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流Id@25℃ 2.5A
导通电阻Rds On(Max) 120mΩ
输入电容(Ciss)(Max) 405pF
功率(Max) 350mW
封装/外壳 SOT-23
P沟道 VDS=-20V VGS=±12V ID=-4.4A
历史库存：1800
历史单价：0.27000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 800mV@250µA
漏极电流Idss -4.4A
漏源极电压（Vdss） -20V
导通电阻Rds On(Max) 50mΩ
功率(Max) 1W
封装/外壳 SOT-23-3L
N沟道 VDS=40V VGS=±20V ID=15.5A
历史库存：2480
历史单价：1.41750（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.8V@250µA
漏极电流Idss 15.5A
漏源极电压（Vdss） 40V
导通电阻Rds On(Max) 11.5mΩ
功率(Max) 2.08W
封装/外壳 SOP-8
N沟道 VDS=40V VGS=±20V ID=60A
历史库存：2500
历史单价：1.37200（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.6V@250µA
漏极电流Idss 60A
导通电阻Rds On(Max) 7.2mΩ
功率(Max) 3W
封装/外壳 TO-252
2P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-8A 2通路
阈值电压Vgs(th) 1.4V@250µA
漏极电流Idss -8A
FET类型 P+P沟道
漏源极电压（Vdss） -30V
导通电阻Rds On(Max) 16mΩ
功率(Max) 2.5W
