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通用三极管 达林顿三极管 带预偏置三极管 MOSFETs JFETs 可控硅/晶闸管/光电可控硅 功率模块 IGBT
MOSFETs WILLSEMI WPM2019-3/TR

功率(Pd):220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):550mA 类型:P沟道

品牌:WILLSEMI

历史库存:500

历史单价:0.28440(最新价格请咨询

MOSFETs UTC UT3N06G-AE3-R

场效应管(MOSFET) N沟道 60V 3A 90mΩ@10V

品牌:UTC

历史库存:3000

历史单价:0.30751(最新价格请咨询

场效应管(MOSFET) APEC AP83T03GH

连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道

品牌:APEC

历史库存:1

历史单价:1.15966(最新价格请咨询

MOS场效应管(单) Hottech AO3400

N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=8A P=350mW

品牌:Hottech

历史库存:2575

历史单价:0.19576(最新价格请咨询

MOS场效应管(单) Hottech SI2301

P沟道 VDS=-20V VGS=±8V ID=-2.3A P=1.25W

品牌:Hottech

历史库存:33795

历史单价:0.11891(最新价格请咨询

MOSFETs Prisemi PNM723T703E0-2

功率(Pd):150mW 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω 10V,500mA 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):180mA 类型:N沟道 N沟,40V,180mA,7.5Ω@10V

品牌:Prisemi

历史库存:10000

历史单价:0.16501(最新价格请咨询

MOS场效应管(单) JCET CJ3134K(SOT-723)

N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=750mA P=150mW

品牌:JCET

历史库存:4540

历史单价:0.16495(最新价格请咨询

MOS场效应管(阵列) JCET 2N7002DW(SOT-363)

2N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=115mA P=150mW

品牌:JCET

历史库存:2925

历史单价:0.29998(最新价格请咨询

MOS场效应管(单) Belling BLM3400

N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A P=1.4W

品牌:Belling

历史库存:2280

历史单价:0.24743(最新价格请咨询

MOS场效应管(单) Hottech 2SK3018

N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=100mA P=350mW

品牌:Hottech

历史库存:2140

历史单价:0.07350(最新价格请咨询

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