阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

漏极电流Idss 130mA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 10欧姆@130mA，10V

漏源极电压（Vdss） 50V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 50V

连续漏极电流Id@25℃ 130mA

导通电阻Rds On(Max) 10Ω

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 45.0pF

功率(Max) 250mW

工作温度(Tj) -65°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 2.35V@25µA

漏极电流Idss 11A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 11.9毫欧@11A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 不可用于新设计

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 11.9mΩ

功率(Max) 2.5W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SO-8

阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

漏极电流Idss 1.7A

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 336毫欧@3.8A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

导通电阻Rds On(Max) 336mΩ

功率(Max) 2W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

阈值电压Vgs(th) 2.2V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5毫欧@20A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 5mΩ

输入电容(Ciss)(Max) 1037pF

功率(Max) 3W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 1.2V@250µA

漏极电流Idss 4.2A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 45毫欧@4.2A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 45mΩ

功率(Max) 1.25W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-346

阈值电压Vgs(th) 2V@250µA

漏极电流Idss 10A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 180毫欧@5A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

导通电阻Rds On(Max) 180mΩ

功率(Max) 2.5W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 2.2V@250µA

漏极电流Idss 3.3A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 60毫欧@3.2A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 60mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 6.7nC

功率(Max) 1.1W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

漏极电流Idss 300mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2欧姆@50mA，5V

漏源极电压（Vdss） 50V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 50V

连续漏极电流Id@25℃ 300mA

导通电阻Rds On(Max) 3Ω

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 50pF

功率(Max) 350mW

工作温度(Tj) -65°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

漏极电流Idss 305mA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2欧姆@50mA，5V

漏源极电压（Vdss） 50V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 50V

连续漏极电流Id@25℃ 0.305A

导通电阻Rds On(Max) 3Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 0.4nC

输入电容(Ciss)(Max) 50pF

功率(Max) 250mW

工作温度(Tj) -65°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-363

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

漏极电流Idss 6A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 68毫欧@12A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 8.5A

导通电阻Rds On(Max) 68mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 10.3nC

输入电容(Ciss)(Max) 502pF

功率(Max) 2.12W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 TO252-3L