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通用三极管达林顿三极管带预偏置三极管 MOSFETs JFETs 可控硅/晶闸管/光电可控硅功率模块 IGBT

MOS场效应管(阵列) AsiaChip AC4606

N沟道+P沟道 VDS=30V ID=6A VGS=±20V P=3.1W 2通路

品牌：AsiaChip

历史库存：3000

历史单价：0.49500（最新价格请咨询）

MOS场效应管(阵列) AsiaChip AC4616

N沟道+P沟道 VDS=30V ID=10A VGS=±20V P=2W 2通路

品牌：AsiaChip

历史库存：2870

历史单价：0.71400（最新价格请咨询）

MOSFETs WILLSEMI WPM3401-3/TR

输入电容(Ciss@Vds)：1.25nF 15V 反向传输电容(Crss@Vds)：90pF 15V 功率(Pd)：1.3W 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V 250uA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：38mΩ 10V,4.3A 栅极电荷(Qg@Vgs)：24.8nC 10V 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.6A 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 工作温度(最小值)：- 类型：P沟道

品牌：WILLSEMI

历史库存：500

历史单价：0.41370（最新价格请咨询）

MOS场效应管(单) AsiaChip AC3400A

N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.7A P=1.4W

品牌：AsiaChip

历史库存：2550

历史单价：0.25500（最新价格请咨询）

MOSFETs AOS AO4407C

Vgs(Max) : -2.3V Qg(Max) : 60nC

品牌：AOS

历史库存：100

历史单价：1.88916（最新价格请咨询）

MOSFETs AOS AONS62922

DFN5x6 Vdss : 120V Rds On(Max) : 7mΩ

品牌：AOS

历史库存：30

历史单价：8.83129（最新价格请咨询）

MOS场效应管(单) WINSOK WSE3088

N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=7A

品牌：WINSOK

历史库存：1999

历史单价：0.84000（最新价格请咨询）

MOS场效应管(单) WINSOK WSD2018DN22

N沟道 VDS=20V VGS=±10V ID=12A

品牌：WINSOK

历史库存：1000

历史单价：0.75600（最新价格请咨询）

MOS场效应管(单) WINSOK WSD2050DN

N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=40A

品牌：WINSOK

历史库存：290

历史单价：0.96600（最新价格请咨询）

MOS场效应管(阵列) WINSOK WSD2068N23

2N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=7.5A 2通路

品牌：WINSOK

历史库存：980

历史单价：0.74200（最新价格请咨询）