封装/外壳 DFN 3.3x3.3

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 80V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 3mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 76nC

输入电容(Ciss)(Max) 5600pF

功率(Max) 2.5W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 PG-TDSON-8

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

漏极电流Idss 3.5A

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 30V

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 57mΩ

功率(Max) 1.25W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23

阈值电压Vgs(th) 1.2V@50µA

漏极电流Idss 4.2A

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 20V

漏源电压(Vdss) 20V

功率(Max) 1.25W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23

阈值电压Vgs(th) 2.4V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 5.8A

导通电阻Rds On(Max) 28mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 5.2nC

输入电容(Ciss)(Max) 255pF

功率(Max) 1.4W

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 2A

导通电阻Rds On(Max) 120mΩ

功率(Max) 700mW

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23

阈值电压Vgs(th) 1.2V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 2A

导通电阻Rds On(Max) 80mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) -

功率(Max) 900mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ -4.1A

导通电阻Rds On(Max) 60mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 700pF

功率(Max) 1.4W

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23

阈值电压Vgs(th) 800mV@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 70mΩ

功率(Max) 1.4W

阈值电压Vgs(th) 800mV@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 26mΩ

功率(Max) 1.4W