阈值电压Vgs(th) 4V@250µA

漏极电流Idss 17A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 75毫欧@10A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 55V

导通电阻Rds On(Max) 75mΩ

功率(Max) 45W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK

阈值电压Vgs(th) 2V@250µA

漏极电流Idss 10A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 185毫欧@6A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

导通电阻Rds On(Max) 185mΩ

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 2.4V@100µA

漏极电流Idss 20A

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4.6毫欧@20A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 4.6mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 165nC

功率(Max) 2.5W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SO-8

阈值电压Vgs(th) 4V@250µA

漏极电流Idss 44A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 27毫欧@26A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 55V

导通电阻Rds On(Max) 27mΩ

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 2.4V@50µA

漏极电流Idss 15A

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 7.2毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 7.2mΩ

输入电容(Ciss)(Max) 2590pF

功率(Max) 2.5W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SO-8

阈值电压Vgs(th) 4V@250µA

漏极电流Idss 1.9A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 160毫欧@1.9A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 55V

导通电阻Rds On(Max) 160mΩ

功率(Max) 1W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

漏极电流Idss 1A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 450毫欧@600mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 1A

导通电阻Rds On(Max) 450mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 0.74nC

输入电容(Ciss)(Max) 60.67pF

功率(Max) 290mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-323

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

漏极电流Idss 1µA

FET类型 N沟道

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 1.2A

导通电阻Rds On(Max) 250mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 5.0nC

输入电容(Ciss)(Max) 85pF

功率(Max) 540mW

工作温度(Tj) -50°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23

阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA

漏极电流Idss 4.3A

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 50毫欧@4.3A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 12V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 12V

导通电阻Rds On(Max) 50mΩ

功率(Max) 1300mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-346

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 3.9mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 32nC

输入电容(Ciss)(Max) 2500pF

功率(Max) 69W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 PG-TDSON-8