封装/外壳 TO-220

阈值电压Vgs(th) 1.5V@250A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4.5欧姆@100mA，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 200mA

导通电阻Rds On(Max) 4.5Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 0.51nC

输入电容(Ciss)(Max) 20.0pF

功率(Max) 300mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 4.4A

导通电阻Rds On(Max) 37mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 8.0nC

输入电容(Ciss)(Max) 266pF

功率(Max) 660W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 4V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 500毫欧@7.2A，10V

漏源极电压（Vdss） 200V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 200V

导通电阻Rds On(Max) 500mΩ

功率(Max) 150W

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 TO-247 ,SOT-429

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-363

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 12mΩ

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 40V

导通电阻Rds On(Max) 12mΩ

功率(Max) 6W

阈值电压Vgs(th) 5V@2mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 50毫欧@14A，11V

漏源极电压（Vdss） 75V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 75V

连续漏极电流Id@25℃ 27A

导通电阻Rds On(Max) 50mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 19nC

输入电容(Ciss)(Max) 810pF

功率(Max) 88W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 16毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 75V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 75V

连续漏极电流Id@25℃ 73A

导通电阻Rds On(Max) 16mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 30nC

输入电容(Ciss)(Max) 3026pF

功率(Max) 157W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 2V@250µA

漏极电流Idss 17A

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 55V

漏源电压(Vdss) 55V

导通电阻Rds On(Max) 65mΩ

功率(Max) 45W

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK