阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.5欧姆@200mA，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 210mA

导通电阻Rds On(Max) 3.5Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 0.7nC

输入电容(Ciss)(Max) 20.0pF

功率(Max) 320mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-363

阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4.5欧姆@100mA，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 200mA

导通电阻Rds On(Max) 4.5Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 0.44nC

输入电容(Ciss)(Max) 20.0pF

功率(Max) 370mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-666-6

阈值电压Vgs(th) 1.1V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.4欧姆@350mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 400mA

导通电阻Rds On(Max) 1.4Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 0.68nC

输入电容(Ciss)(Max) 50pF

功率(Max) 420mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 2.1V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2.8欧姆@200mA，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 330mA

导通电阻Rds On(Max) 2.8Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 1nC

输入电容(Ciss)(Max) 23.6pF

功率(Max) 265mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-323，SC-70

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 7.1毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 55V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 7.1mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 53nC

输入电容(Ciss)(Max) 3760pF

功率(Max) 203W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 11毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 Digi-Key已不再提供

漏源电压(Vdss) 55V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 11mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 37nC

输入电容(Ciss)(Max) 2604pF

功率(Max) 157W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 25毫欧@5A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 27A

导通电阻Rds On(Max) 25mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 7.9nC

输入电容(Ciss)(Max) 525pF

功率(Max) 32W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 LFPAK56-8

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 10毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 10mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 80nC

输入电容(Ciss)(Max) 6773pF

功率(Max) 300W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2.7V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 222毫欧@1.5A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 1.5A

导通电阻Rds On(Max) 222mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 4.8nC

输入电容(Ciss)(Max) 177pF

功率(Max) 480mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB