阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA

漏极电流Idss 200mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.5欧姆@220mA，10V

漏源极电压（Vdss） 50V

漏源电压(Vdss) 50V

连续漏极电流Id@25℃ 200mA

导通电阻Rds On(Max) 3.5Ω

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 50pF

功率(Max) 200mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-323

阈值电压Vgs(th) 3V@1mA

漏极电流Idss 320mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 10欧姆@250mA，10V

漏源极电压（Vdss） 200V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 200V

连续漏极电流Id@25℃ 320mA

导通电阻Rds On(Max) 10Ω

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 85pF

功率(Max) 2W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-223

阈值电压Vgs(th) 900mV@250µA

漏极电流Idss 4.2A

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 52毫欧@4.2A、4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 4.2A

导通电阻Rds On(Max) 52mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 10.2nC

输入电容(Ciss)(Max) 808pF

功率(Max) 1.4W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

阈值电压Vgs(th) 4V@150µA

漏极电流Idss 120A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 6毫欧@75A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 120A

导通电阻Rds On(Max) 4.8mΩ

功率(Max) 250W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 4V@250µA

漏极电流Idss 6.6A

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 480毫欧@3.9A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

导通电阻Rds On(Max) 480mΩ

功率(Max) 40W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK

阈值电压Vgs(th) 2.35V@50µA

漏极电流Idss 86A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5.8毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 4mΩ

功率(Max) 75W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 1V@130µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 11欧姆@140mA，10V

漏源极电压（Vdss） 250V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 250V

连续漏极电流Id@25℃ 140mA

导通电阻Rds On(Max) 11Ω

输入电容(Ciss)(Max) 109pF

功率(Max) 500mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-346

阈值电压Vgs(th) 4V@250µA

漏极电流Idss 75A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 13毫欧@43A，10V

漏源极电压（Vdss） 75V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 75V

导通电阻Rds On(Max) 13mΩ

输入电容(Ciss)(Max) 3820pF

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 4V@100µA

漏极电流Idss 80A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 9毫欧@46A，10V

漏源极电压（Vdss） 75V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 75V

导通电阻Rds On(Max) 9mΩ

输入电容(Ciss)(Max) 3070pF

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 3.7V@250µA

漏极电流Idss 240A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.4毫欧@100A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

导通电阻Rds On(Max) 1.4mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 354nC

输入电容(Ciss)(Max) 12960pF

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)