阈值电压Vgs(th) 1.6V@250µA

漏极电流Idss 7.5A

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 16毫欧@9A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 7.5A

导通电阻Rds On(Max) 16mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 8.56nC

输入电容(Ciss)(Max) 798pF

功率(Max) 1.17W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SO-8

阈值电压Vgs(th) 1.2V@250µA

漏极电流Idss 750mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 350毫欧@890mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 750mA

导通电阻Rds On(Max) 350mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) -

功率(Max) 310mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-723

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

漏极电流Idss 6.2A

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 41毫欧@6.2A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

导通电阻Rds On(Max) 41mΩ

功率(Max) 2.5W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SO-8

阈值电压Vgs(th) 4V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 100V

导通电阻Rds On(Max) 44mΩ

功率(Max) 130W

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@250µA

漏极电流Idss 57A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 23毫欧@28A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

导通电阻Rds On(Max) 23mΩ

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 1.5V@1mA

漏极电流Idss 2.5A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 92毫欧@2.5A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 不可用于新设计

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 92mΩ

输入电容(Ciss)(Max) 220pF

功率(Max) 1W

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 1.8V@250µA

漏极电流Idss 3.8A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 60毫欧@3.8A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

导通电阻Rds On(Max) 55mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 3.2nC

功率(Max) 1.4W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-346

阈值电压Vgs(th) 800mV@250µA

漏极电流Idss 9.3A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 10毫欧@9.7A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 12V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 12V

连续漏极电流Id@25℃ 9.3A

导通电阻Rds On(Max) 12mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 50.6nC

输入电容(Ciss)(Max) 2426pF

功率(Max) 680mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

阈值电压Vgs(th) 1.1V@10µA

漏极电流Idss 4.3A

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 54毫欧@4.3A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 54mΩ

功率(Max) 1300mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2.5欧姆@240mA，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

连续漏极电流Id@25℃ 260mA

栅极电荷(Qg)(Max) 0.81nC

输入电容(Ciss)(Max) 26.7pF

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-346