阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2.7毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 2.7mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 91nC

输入电容(Ciss)(Max) 6212pF

功率(Max) 300W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2.4毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 Digi-Key已不再提供

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 120A

导通电阻Rds On(Max) 2.4mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 158nC

输入电容(Ciss)(Max) 11180pF

功率(Max) 357W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 120A

导通电阻Rds On(Max) 2mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 109.2nC

输入电容(Ciss)(Max) 8500pF

功率(Max) 293W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 900mV@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 5.3A

导通电阻Rds On(Max) 52mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 13nC

输入电容(Ciss)(Max) 480pF

功率(Max) 556mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 WLCSP-6 ,WLCSP6-3-2

阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

栅极电荷(Qg)(Max) 195nC

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT96-1

阈值电压Vgs(th) 850mV@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 57毫欧@3.6A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

栅极电荷(Qg)(Max) 5.5nC

输入电容(Ciss)(Max) -

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-346

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 32毫欧@4A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

输入电容(Ciss)(Max) -

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-346

阈值电压Vgs(th) 900mV@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 40毫欧@4.5A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 4.5A

导通电阻Rds On(Max) 40mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 12nC

输入电容(Ciss)(Max) 635pF

功率(Max) 530mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-457-6

阈值电压Vgs(th) 1.25V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 254毫欧@900mA,4.5V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 1A

导通电阻Rds On(Max) 254mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 1.65nC

输入电容(Ciss)(Max) 81pF

功率(Max) 342mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-323，SC-70

阈值电压Vgs(th) 1.3V@250µA

FET类型 N+P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 380毫欧@500mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 0.725A

导通电阻Rds On(Max) 380mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 0.68nC

输入电容(Ciss)(Max) 83pF

功率(Max) 320mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-363