MOS场效应管(单) Vishay SI2312BDS-T1-E3
N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=3.9A P=750mW
品牌：Vishay
历史库存：销售,并且可以通过 Digikey、Future、 等渠道进行代购。SI2312BDS-T1-E3价格参考￥5.06000。VishaySI2312BDS-T1-E3封装/规格：SOT-23-3(SC-59,TO-236-3),N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=3.9A P=750mW。你可以下载SI2312BDS-T1-E3中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：
历史单价：5.06000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th)
850mV@250µA
漏极电流Idss
3.9A
FET类型
N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）
31毫欧@5A，4.5V
漏源极电压（Vdss）
20V
是否无铅
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态
在售
漏源电压(Vdss)
20V
导通电阻Rds On(Max)
31mΩ
输入电容(Ciss)(Max)
-
功率(Max)
750mW
工作温度(Tj)
-55°C~150°C
安装类型
表面贴装(SMT)
封装/外壳
SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)
