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MOS场效应管(阵列) Toshiba SSM6N56FE,LM

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(阵列) Toshiba SSM6N56FE,LM

制造商型号: SSM6N56FE,LM
制造商: Toshiba
封装/规格: SOT-666
商品描述:
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A

PDF资料: SSM6N56FE,LM.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1V@1mA

    FET类型

    N+N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    235毫欧@800mA,4.5V

    漏源极电压(Vdss)

    20V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    功率(Max)

    150mW

    工作温度(Tj)

    150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    技术资料文档
    数据手册 SSM6N56FE,LM.pdf

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