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MOS场效应管(单) Infineon IPD35N10S3L26ATMA1

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) Infineon IPD35N10S3L26ATMA1

制造商型号: IPD35N10S3L26ATMA1
制造商: Infineon
封装/规格: SOT-428,DPAK
商品描述:
N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=35A P=71W

PDF资料: IPD35N10S3L26ATMA1.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2.4V@39µA

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    24毫欧@35A,10V

    漏源极电压(Vdss)

    100V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    100V

    导通电阻Rds On(Max)

    24mΩ

    功率(Max)

    71W

    工作温度(Tj)

    -55°C~175°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-428,DPAK

    技术资料文档
    数据手册 IPD35N10S3L26ATMA1.pdf

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