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MOSFETs VBsemi Si2338DS-T1-GE3

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOSFETs VBsemi Si2338DS-T1-GE3

制造商型号: Si2338DS-T1-GE3
制造商: VBsemi
封装/规格: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
商品描述:
SOT23-3 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,3.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250μA

PDF资料: Si2338DS-T1-GE3.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    FET类型

    N沟道

    漏源电压(Vdss)

    30V

    连续漏极电流Id@25℃

    6.5A

    导通电阻Rds On(Max)

    33mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    6.7nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    335pF

    功率(Max)

    1.7W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

    技术资料文档
    数据手册 Si2338DS-T1-GE3.pdf

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