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MOSFETs VBsemi LBSS139LT1G

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOSFETs VBsemi LBSS139LT1G

制造商型号: LBSS139LT1G
制造商: VBsemi
封装/规格: SOT-23-3
商品描述:
Vds=60V Id=250mA SOT23-3 :类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):250mA 功率(Pd):300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8Ω@10V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):400pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):25pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):2pF@25V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj

PDF资料: LBSS139LT1G.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2.5V@250µA

    FET类型

    N沟道

    漏源极电压(Vdss)

    60V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    60V

    连续漏极电流Id@25℃

    250mA

    导通电阻Rds On(Max)

    3.8Ω

    栅极电荷(Qg)(Max)

    0.6nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    25pF

    功率(Max)

    300mW

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-23-3

    技术资料文档
    数据手册 LBSS139LT1G.pdf

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