N&N沟道 30V18A Rds(on)=10.8&10.5毫欧 DFN3X3-8
品牌：WINSOK
历史库存：30
历史单价：1.75500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.6V@250µA
FET类型 N+N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
导通电阻Rds On(Max) 10.8mΩ
功率(Max) 20W
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
N沟道 30V 28mΩ 90mW
品牌：PJ
历史库存：100
历史单价：0.17500（最新价格请咨询）
FET类型 N沟道
连续漏极电流Id@25℃ 5.8A
导通电阻Rds On(Max) 28mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 5.2nC
输入电容(Ciss)(Max) 255pF
功率(Max) 90mW
封装/外壳 SOT-23
P沟道 -20V 57mΩ 350mW SOT_23
历史单价：0.25000（最新价格请咨询）
FET类型 P沟道
漏源电压(Vdss) -20V
连续漏极电流Id@25℃ -2.9A
导通电阻Rds On(Max) 57mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 13nC
输入电容(Ciss)(Max) 715pF
功率(Max) 350mW
工作温度(Tj) 150°C
P沟道 VDS = -20V,ID = -3A SOT-23
品牌：Belling
历史库存：3000
历史单价：0.15001（最新价格请咨询）
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流Id@25℃ 3A
导通电阻Rds On(Max) 140mΩ
功率(Max) 1W
SOP8 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：4.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@10V,7A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA
品牌：VBsemi
历史单价：1.37750（最新价格请咨询）
漏源电压(Vdss) -30V
连续漏极电流Id@25℃ 9A
导通电阻Rds On(Max) 24mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 38nC
输入电容(Ciss)(Max) 1445pF
功率(Max) 4.2W
封装/外壳 SO-8
MOSFET N-CH 30V .1A VMT3
品牌：ROHM
历史库存：3790
历史单价：0.26716（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.5V@100µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 8欧姆@10mA，4V
漏源极电压（Vdss） 30V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 不可用于新设计
连续漏极电流Id@25℃ 100mA
栅极电荷(Qg)(Max) -
封装/外壳 SOT-723
MOSFET N-CH 60V 8SON
品牌：TI
历史库存：10
历史单价：11.69550（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.3V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4.6毫欧@22A，10V
漏源极电压（Vdss） 60V
是否无铅 含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
栅极电荷(Qg)(Max) 43nC
N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=115mA P=200mW
品牌：DIODES
历史库存：3400
历史单价：0.22499（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2V@250µA
漏极电流Idss 115mA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 7.5欧姆@50mA，5V
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流Id@25℃ 115mA
导通电阻Rds On(Max) 7.5Ω
输入电容(Ciss)(Max) 50pF
功率(Max) 200mW
封装/外壳 SOT-323
P沟道.-100V.-30A.78mΩ
历史库存：200
历史单价：1.55250（最新价格请咨询）
漏源电压(Vdss) -100V
连续漏极电流Id@25℃ 30A
导通电阻Rds On(Max) 95mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 44nC
输入电容(Ciss)(Max) 3029pF
功率(Max) 54W
工作温度(Tj) -55°C~155°C
封装/外壳 TO-252
N沟道.20V.11A.9.5mΩ
历史单价：0.63750（最新价格请咨询）
连续漏极电流Id@25℃ 11A
导通电阻Rds On(Max) 18mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 32nC
输入电容(Ciss)(Max) 1177pF
功率(Max) 2W
封装/外壳 DFN2X2-6L
