Vds=30V Id=4.0A SOT23-6 类型 P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.8A 功率(Pd)：3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：49mΩ@10V,4.1A；阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：10nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：450pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：63pF@15V 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
品牌：VBsemi
历史单价：1.01700（
场效应管 SOT23-3 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.3Ω@10V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA N沟道,60V,2.5A,2.8Ω@10V
品牌：VBsemi
历史单价：0
场效应管 SO-8 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5mΩ@4.5V,14A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@600μA
品牌：VBsemi
历史单价：1.36505（
功率(Pd)：40W 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：200mΩ 10V,16A 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：13A 类型：P沟道 新洁能PMOS管 100V 13A 170mΩ
品牌：NCE
历史单价：1.06401（