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通用三极管 达林顿三极管 带预偏置三极管 MOSFETs JFETs 可控硅/晶闸管/光电可控硅 功率模块 IGBT
MOSFETs VBsemi CJ2306

Vds=30V Id=5.3A SOT23-3 类型 N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,3.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):4.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):335pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):17pF@15V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

品牌:VBsemi

历史库存:500

历史单价:0.45750(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi 2SJ179

Vds=30V Id=6A SOT89-3 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,7A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA

品牌:VBsemi

历史库存:500

历史单价:1.14450(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi AO3419

Vds=20V Id=4.5A SOT23-3 类型 P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):835pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):155pF@10V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

品牌:VBsemi

历史库存:500

历史单价:0.30450(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi AO3423

Vds=20V Id=4.5A SOT-23-3 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4.5A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA

品牌:VBsemi

历史库存:212

历史单价:0.30450(最新价格请咨询

MOS管 Slkor SL2302S

类型:N沟道 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.6A 漏源电压(Vdss):20V 漏源导通电阻:85mΩ @ 2.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW

品牌:Slkor

历史库存:1900

历史单价:0.08700(最新价格请咨询

MOS管 Slkor SL2301

类型:P沟道 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.4A 漏源电压(Vdss):-20V 漏源导通电阻:140mΩ 最大功率耗散(Ta=25°C):900mW

品牌:Slkor

历史库存:3000

历史单价:0.12750(最新价格请咨询

MOS场效应管 Nexperia PMV30UN2VL

PMV30UN2/SOT23/TO-236AB

品牌:Nexperia

历史库存:0

历史单价:0

MOS场效应管 Nexperia PMV30ENEAR

PMV30ENEA/SOT23/TO-236AB

品牌:Nexperia

历史库存:0

历史单价:0

MOS场效应管 Nexperia PSMN1R6-30MLHX

PSMN1R6-30MLH/SOT1210/mLFPAK

品牌:Nexperia

历史库存:0

历史单价:0

MOS场效应管 Nexperia PSMN1R0-40YSHX

PSMN1R0-40YSH/SOT1023/4 LEADS

品牌:Nexperia

历史库存:0

历史单价:0

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