阈值电压Vgs(th) 950mV @ 250µA

漏极电流Idss 1.73A

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 200 毫欧 @ 900mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 1.73A

导通电阻Rds On(Max) 200mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 2nC

输入电容(Ciss)(Max) 67.62pF

功率(Max) 960mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 X1-DFN1212-3

阈值电压Vgs(th) 800mV@250µA

漏极电流Idss 1.4A

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 150毫欧@1.4A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

导通电阻Rds On(Max) 150mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 6.5nC

输入电容(Ciss)(Max) 272pF

功率(Max) 500mW

工作温度(Tj) -50°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 2.2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.1毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 280A

导通电阻Rds On(Max) 1.1mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 127nC

输入电容(Ciss)(Max) 8845pF

功率(Max) 198W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.5毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 80V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 80V

连续漏极电流Id@25℃ 120A

导通电阻Rds On(Max) 3.5mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 111nC

输入电容(Ciss)(Max) 8161pF

功率(Max) 306W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2.15V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.9毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 1.9mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 212nC

输入电容(Ciss)(Max) 12493pF

功率(Max) 306W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2.15V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2.7毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 2.7mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 66nC

输入电容(Ciss)(Max) 3954pF

功率(Max) 170W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 2.15V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 2mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 87nC

输入电容(Ciss)(Max) 5217pF

功率(Max) 272W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 2.15V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.5毫欧@15A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 100A

导通电阻Rds On(Max) 3.5mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 41nC

输入电容(Ciss)(Max) 3441pF

功率(Max) 74W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 2.2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 6.4毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 25V

是否无铅 不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 25V

连续漏极电流Id@25℃ 70A

导通电阻Rds On(Max) 3.72mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 18.9nC

输入电容(Ciss)(Max) 1334pF

功率(Max) 65W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-1210，8-LFPAK33

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

晶体管类型 NPN

Vce饱和压降(Max) 150mV

DC电流增益(hFE)(Min&Range) 80

集电极电流Ic(Max) 100mA

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 250mW

跃迁频率 -

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-883,DFN1006-3