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通用三极管 达林顿三极管 带预偏置三极管 MOSFETs JFETs 可控硅/晶闸管/光电可控硅 功率模块 IGBT
MOSFETs IXYS IXTQ130N10T

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):130A 功率(Pd):360W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.1mΩ@10V,25A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA N-CH 100V

品牌:IXYS

历史库存:30

历史单价:12.19399(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi 2SJ337

Vds=30V Id=12.9A TO-251

品牌:VBsemi

历史库存:29

历史单价:1.55940(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi 2SK1588

Vds=30V Id=6.8A SOT89-3 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.8A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):33mΩ@4.5V,6.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA

品牌:VBsemi

历史库存:494

历史单价:1.06820(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi CEM9936A

Vds=30V Id=6.2A SO-8 类型 N+N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.8A 功率(Pd):2.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):15nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):586pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):55pF@15V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

品牌:VBsemi

历史库存:17

历史单价:1.16955(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi AP4501AGM

Vds=30V Id=6.8A,6.6A SOP-8 类型 P+N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):8A 功率(Pd):3.2W;3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18mΩ@10V,6.8A;40mΩ@10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):6nC@10V;41.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):510pF@20V;620pF@20V 反向传输电容(Crss@Vds):33pF@20

品牌:VBsemi

历史库存:48

历史单价:1.54310(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi AO4616

Vds=30V Id=6.8A,6.6A SOP8 类型 N+P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):8A 功率(Pd):3.2W;3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18mΩ@10V,6.8A; 40mΩ@10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.0V@250uA; -2.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):6nC@10V; 41.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):510pF@20V; 620pF@20V 反向传输电容(Crss@Vds

品牌:VBsemi

历史库存:57

历史单价:1.54310(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi AO4800

Vds=30V Id=6.2A SO-8 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.2A 功率(Pd):1.78W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA

品牌:VBsemi

历史库存:1

历史单价:1.16955(最新价格请咨询

MOSFET VBsemi AP2306AGN

SOT23-3 类型 N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,3.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):4.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):335pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):17pF@15V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

品牌:VBsemi

历史库存:500

历史单价:0.45750(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi AP2305GN

Vds=20V Id=4.5A SOT23-3 类型 P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):865pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):155pF@10V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

品牌:VBsemi

历史库存:110

历史单价:0.38985(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi CES2362

Vds=60V Id=3.1A SOT23-3 类型 N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.66W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@10V,1.9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):4.2nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):180pF@30V 反向传输电容(Crss@Vds):13pF@30V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

品牌:VBsemi

历史库存:394

历史单价:1.01700(最新价格请咨询

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