阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 53A

导通电阻Rds On(Max) 18mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 21.4nC

输入电容(Ciss)(Max) 1482pF

功率(Max) 111W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 0.9V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 7A

导通电阻Rds On(Max) 22mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 17nC

输入电容(Ciss)(Max) 1136pF

功率(Max) 1.7W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020MD-6

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 3.3A

导通电阻Rds On(Max) 80mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 11.5nC

输入电容(Ciss)(Max) 370pF

功率(Max) 570mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-457-6

阈值电压Vgs(th) -

FET类型 P沟道

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 6.2A

导通电阻Rds On(Max) 34mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 19nC

输入电容(Ciss)(Max) 1517pF

功率(Max) 2W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020MD-6

阈值电压Vgs(th) 0.9V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 5A

导通电阻Rds On(Max) 33mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 18.6nC

输入电容(Ciss)(Max) 1150pF

功率(Max) 1.7W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020MD-6

阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 265mA

导通电阻Rds On(Max) 3.5Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 0.49nC

输入电容(Ciss)(Max) 20.2pF

功率(Max) 310mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 1.2V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 480毫欧@780mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

连续漏极电流Id@25℃ 660mA

栅极电荷(Qg)(Max) -

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-723

阈值电压Vgs(th) 2.1V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 270mA

导通电阻Rds On(Max) 2.8Ω

栅极电荷(Qg)(Max) 1nC

输入电容(Ciss)(Max) 23.6pF

功率(Max) 400mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB

阈值电压Vgs(th) 1.8V@108µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 6欧姆@350mA，10V

漏源极电压（Vdss） 240V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

连续漏极电流Id@25℃ 350mA

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) -

漏极电流Idss 30mA

FET类型 N沟道

漏源极电压（Vdss） 12V

漏源电压(Vdss) 12V

导通电阻Rds On(Max) -

功率(Max) 200mW

安装类型 表面贴装(SMT)