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通用三极管 达林顿三极管 带预偏置三极管 MOSFETs JFETs 可控硅/晶闸管/光电可控硅 功率模块 IGBT
场效应管MOSFETs WINSOK WSD45P10DN56

P沟道.-100V.-27.5A.62mΩ

品牌:WINSOK

历史库存:100

历史单价:3.00000(最新价格请咨询

MOS管 Slkor SL2310

SOT-23 Vdss=60V Id=3A Rds=105mΩ

品牌:Slkor

历史库存:3000

历史单价:0.38610(最新价格请咨询

MOS管 Slkor SL10N65F

TO-220F P=41.8W Vdss=650V Ciss=1120pF

品牌:Slkor

历史库存:50

历史单价:2.84311(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi VB1101M

SOT-23-3 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):4.3A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):134mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250μA N沟道,100V,4.3A,100mΩ@10V

品牌:VBsemi

历史库存:100

历史单价:1.06000(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi SSF2341E

SOT23-3 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA

品牌:VBsemi

历史库存:500

历史单价:0.31665(最新价格请咨询

MOSFET VBsemi STM4973

SOP8 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-30V 连续漏极电流(Id):7.3A 功率(Pd):5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.029Ω@10V,7.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA

品牌:VBsemi

历史库存:18

历史单价:1.36505(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi SSM3K7002F

SOT-23-3 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):250mA 功率(Pd):300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8Ω@10V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA

品牌:VBsemi

历史库存:500

历史单价:0.20400(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi VBK2298

SC-70-3 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.1A 功率(Pd):500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):140mΩ@1.8V,300mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA P沟道,-20V,-3A,98mΩ@4.5V

品牌:VBsemi

历史库存:500

历史单价:0.84532(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi WNM2021

Vds=20V Id=4A SC70-3 类型 N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):2.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,3.7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):8.8nC@10V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

品牌:VBsemi

历史库存:500

历史单价:0.55950(最新价格请咨询

MOSFET VBsemi WPM2341A-3/TR

SOT23-3 类型 P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):835pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):155pF@10V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

品牌:VBsemi

历史库存:355

历史单价:0.30450(最新价格请咨询

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