SOT-89 类型 N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.8A 功率(Pd)：6.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@4.5V,6.3A； 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uF 栅极电荷(Qg@Vgs)：33nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1200pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：100pF@10V 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
品牌：VBsemi
历史单价：1.14450（
类型：N沟道 连续漏极电流(Id)：18A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@0.28mA
品牌：Infineon
历史单价：10.39600（
SOT723 MOSFETs 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：950mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：200mΩ@4.5V,550mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：650mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：1.15nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：50pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：8pF@10V 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
品牌：TECH PUBLIC
历史单价：0.13501（
Vds=30V Id=7.0A SOP-8 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：4.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@10V,7A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：13nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.455nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：145pF@15V 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
品牌：VBsemi
历史单价：1.43260（
Vds=20V Id=5.5A,3.4A TSOP-6 类型 N+P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5.5A 功率(Pd)：1.15W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@10V,2.5A；55mΩ@10V,1.8A阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.6V@250uA；0.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：2.1nC@5V；2.4nC@5V 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
品牌：VBsemi
历史单价：1.01700（
Vds=100V Id=3A TSOP-6 类型 N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：3.2A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：95mΩ@10V,3A；阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：8.2nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：424pF@50V 反向传输电容(Crss@Vds)：42pF@50V 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
品牌：VBsemi
历史单价：1.06820（
Vds=30V Id=6.2A SO-8 类型 N+N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.8A 功率(Pd)：2.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@10V,5A；阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：15nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：586pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：55pF@15V 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
品牌：VBsemi
历史单价：1.42380（
Vds=30V Id=6.8A SOT89-3 类型 N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.8A 功率(Pd)：6.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@4.5V,6.3A；阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：22nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1200pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：100pF@10V 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
品牌：VBsemi
历史单价：1.06820（