PBSS4160T/SOT23/TO-236AB
品牌：Nexperia
历史库存：0
历史单价：0
晶体管类型 NPN
Vce饱和压降(Max) 250mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 100
集电极电流Ic(Max) 1000mA
集射极击穿电压Vce(Max) 60V
功率(Max) 400mW
跃迁频率 220MHz
工作温度(Tj) 150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
BC846S/SOT363/SC-88
晶体管类型 NPN+NPN
Vce饱和压降(Max) 300mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 110
集电极电流Ic(Max) 100mA
集射极击穿电压Vce(Max) 65V
功率(Max) 200mW
跃迁频率 100MHz
封装/外壳 SOT-363-6，SC-88
PNP Ic=-200mA Vceo=-40V hfe=100~300 fT=250MHz P=200mW
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
系列 汽车级，AEC-Q101
零件状态 在售
晶体管类型 PNP
Vce饱和压降(Max) 400mV
集电极电流Ic(Max) 200mA
集射极击穿电压Vce(Max) 40V
跃迁频率 250MHz
封装/外壳 SOT-323，SC-70
NPN Ic=300mA Vceo=160V hfe=20~250 fT=100MHz P=200mW
Vce饱和压降(Max) 200mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 80
集电极电流Ic(Max) 300mA
集射极击穿电压Vce(Max) 160V
跃迁频率 300MHz
TRANS PNP 80V 8A DPAK TO-252
品牌：ON
历史库存：销售,并且可以通过 Digikey、 等渠道进行代购。MJD45H11RLG价格参考￥1.38599。ONMJD45H11RLG封装/规格：TO-252,TRANS PNP 80V 8A DPAK TO-252。你可以下载MJD45H11RLG中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有通用三极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：MJD45H11RLG<!--
历史单价：1.44899（最新价格请咨询）
Vce饱和压降(Max) 1000mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 60
集电极电流Ic(Max) 8A
集射极击穿电压Vce(Max) 80V
功率(Max) 20W
跃迁频率 50MHz
封装/外壳 TO-252
PNP 200mA 400V 100@50mA，10V 1W
品牌：DIODES
历史库存：销售,并且可以通过 Digikey、Future、 等渠道进行代购。FCX558TA价格参考￥1.02281。DIODESFCX558TA封装/规格：TO_243AA,PNP 200mA 400V 100@50mA，10V 1W。你可以下载FCX558TA中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有通用三极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：FCX558TA<!--
历史单价：1.30175（最新价格请咨询）
集射极击穿电压Vce(Max) 400V
功率(Max) 1W
工作温度(Tj) -65°C~150°C
TRANS NPN 400V 0.3A SOT223
Vce饱和压降(Max) 750mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 40
功率(Max) 1.35W
跃迁频率 20MHz
PNP Ic=-1A Vceo=-80V hfe=100~250 P=1.5W
Vce饱和压降(Max) 500mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 63
功率(Max) 650mW
跃迁频率 145MHz
封装/外壳 SOT-223
NPN Ic=1.5A Vceo=400V hfe=25~30 fT=5MHz P=1.5W
品牌：JCET
集电极电流Ic(Max) 1.5A
功率(Max) 1.5W
跃迁频率 5MHz
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 TO-126
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
Vce饱和压降(Max) 600mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 420
集射极击穿电压Vce(Max) 30V
功率(Max) 250mW
封装/外壳 SOT-23,TO-236AB
