SPTECH Silicon NPN Power Transistor TO-220C
品牌：SPTECH
历史库存：40
历史单价：0.84500（最新价格请咨询）
晶体管类型 NPN
Vce饱和压降(Max) 1000mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 40
集电极电流Ic(Max) 7A
集射极击穿电压Vce(Max) 200V
功率(Max) 60W
跃迁频率 10MHz
工作温度(Tj) 150°C
安装类型 通孔(THT)
TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23
品牌：ON
历史库存：销售,并且可以通过 Digikey、 等渠道进行代购。MMBTA13LT1G价格参考￥0.11858。ONMMBTA13LT1G封装/规格：SOT-346,TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23。你可以下载MMBTA13LT1G中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有通用三极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：MMBTA13LT1G<!--
历史单价：0.16170（最新价格请咨询）
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 100
集电极电流Ic(Max) 300mA
集射极击穿电压Vce(Max) 30V
功率(Max) 225mW
跃迁频率 125MHz
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-346
通用三极管 NPN Vceo:12V Ic:100mA Pd:150mW SOT-323
品牌：SK
历史库存：0
历史单价：0.16501（最新价格请咨询）
元件生命周期 Active
存储温度 -65~+150℃
高度 1.10mm
长x宽/尺寸 2.20 x 1.35mm
原产国家 China Taiwan
原始制造商 Taiwan shike Electronics co.,ltd
品牌 SK
是否无铅 Yes
零件状态 Active
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 150
集电极电流Ic(Max) 100mA
集射极击穿电压Vce(Max) 12V
功率(Max) 150mW
工作温度(Tj) +150℃
安装类型 SMT
封装/外壳 SOT-323
PNP Ic=-1A Vceo=-80V hfe=40~250 fT=150MHz
品牌：Hottech
历史库存：销售,并且可以通过 等渠道进行代购。BCX53-AH价格参考￥0.25519。HottechBCX53-AH封装/规格：SOT-89,PNP Ic=-1A Vceo=-80V hfe=40~250 fT=150MHz。你可以下载BCX53-AH中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有通用三极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：BCX53-AH<!--
历史单价：0.34798（最新价格请咨询）
功率(Max) 1W
跃迁频率 150MHz
工作温度(Tj) -65°C~150°C
PNP Ic=-800mA Vceo=-120V hfe=80~240 fT=120MHz
历史库存：销售,并且可以通过 等渠道进行代购。2SA1661-DY价格参考￥0.26401。Hottech2SA1661-DY封装/规格：SOT-89,PNP Ic=-800mA Vceo=-120V hfe=80~240 fT=120MHz。你可以下载2SA1661-DY中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有通用三极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：2SA1661-DY<!--
历史单价：0.36002（最新价格请咨询）
集射极击穿电压Vce(Max) -120V
功率(Max) 500mW
跃迁频率 120MHz
MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
品牌：ST
历史库存：10
历史单价：11.04196（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4V@250µA
FET类型 N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 34毫欧@37A，10V
漏源极电压（Vdss） 200V
工作温度(Tj) -50°C~150°C
封装/外壳 SOT-404,D2PAK
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
历史库存：45
历史单价：3.25000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4.5V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 750毫欧@4.5A，10V
漏源极电压（Vdss） 600V
封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
历史库存：100
历史单价：4.00519（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 550毫欧@4A，10V
封装/外壳 SOT-428,DPAK
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
历史库存：50
历史单价：4.70600（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 14毫欧@30A，10V
漏源极电压（Vdss） 60V
工作温度(Tj) -55°C~175°C
MOSFET N-CH 950V 12A TO247
历史单价：19.54391（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 5V@100µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 500毫欧@6A，10V
漏源极电压（Vdss） 950V
封装/外壳 TO-247 ,SOT-429
