MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
品牌：DIODES
历史库存：20
历史单价：0.53638（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 950mV@250µA
FET类型 N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 175毫欧@300mA，4.5V
漏源极电压（Vdss） 20V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
输入电容(Ciss)(Max) 64.3pF
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-346
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F
品牌：ST
历史库存：10
历史单价：8.00538（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 165毫欧@10A，10V
漏源极电压（Vdss） 600V
工作温度(Tj) 150°C
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
历史库存：100
历史单价：0.53699（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5欧姆@115mA，10V
漏源极电压（Vdss） 60V
连续漏极电流Id@25℃ 115mA
栅极电荷(Qg)(Max) -
封装/外壳 SOT-523
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
历史单价：3.24999（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 11毫欧@40A，10V
漏源极电压（Vdss） 75V
工作温度(Tj) -55°C~175°C
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
历史库存：1000
历史单价：0.18840（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 150毫欧@1A，4.5V
漏源极电压（Vdss） 12V
栅极电荷(Qg)(Max) 1.5nC
输入电容(Ciss)(Max) 106pF
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
品牌：Vishay
历史库存：400
历史单价：1.26713（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 850mV@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 31毫欧@5A，4.5V
输入电容(Ciss)(Max) -
MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK
历史库存：60
历史单价：2.47750（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA
FET类型 P沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 12.3毫欧@13.9A，10V
漏源极电压（Vdss） 30V
MOSFET N-CH 150V 16A POWER56
品牌：ON
历史库存：30
历史单价：11.75200（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 51毫欧@4.6A，10V
漏源极电压（Vdss） 150V
MOSFET P-CH 80V 50A DPAK
历史单价：11.03010（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 3V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 25.2毫欧@12.5A，10V
漏源极电压（Vdss） 80V
封装/外壳 SOT-428,DPAK
N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=1.05A P=417mW
品牌：Nexperia
历史库存：150
历史单价：0.77250（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 570mV@1mA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 200毫欧@600mA，4.5V
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流Id@25℃ 1.05A
导通电阻Rds On(Max) 200mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 3.9nC
输入电容(Ciss)(Max) 152pF
功率(Max) 417mW
封装/外壳 SOT-23
