MOS管 N-ch 60V 0.14Ω 700mA
品牌：WINSOK
历史库存：2180
历史单价：0.11250（最新价格请咨询）
FET类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流Id@25℃ 700mA
导通电阻Rds On(Max) 140mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) -
输入电容(Ciss)(Max) 350pF
功率(Max) 250mW
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-23N
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=18A P=3.5W
品牌：TECHCODE
历史库存：20
历史单价：0.69000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.8V@250µA
漏极电流Idss 18A
漏源极电压（Vdss） 30V
漏源电压(Vdss) 30V
功率(Max) 20W
2N沟道 VDS=40V VGS=±20V ID=12A P=2W 2通路
历史库存：30
历史单价：1.30000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.75V@250µA
漏极电流Idss 12A
FET类型 N+N沟道
漏源极电压（Vdss） 40V
漏源电压(Vdss) 40V
功率(Max) 2W
封装/外壳 SOP-8
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=6.3A P=1.6W
历史单价：0.45500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.9V@250µA
漏极电流Idss 6.3A
功率(Max) 1.6W
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=13A P=2.08W
历史单价：0.98800（最新价格请咨询）
漏极电流Idss 13A
功率(Max) 2.08W
N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A P=30W
品牌：NCE
历史库存：2500
历史单价：0.70500（最新价格请咨询）
漏极电流Idss 9.6A
漏源极电压（Vdss） 100V
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流Id@25℃ 9.6A
导通电阻Rds On(Max) 108mΩ
功率(Max) 30W
N沟道 VDS=40V VGS=±20V ID=12A P=2.08W
历史库存：3000
历史单价：1.37201（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA
IGBT 600V 50A TO247
品牌：ON
历史库存：10
历史单价：10.61450（最新价格请咨询）
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
功率(Max) 417W
工作温度(Tj) -55°C~175°C
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 TO-247 ,SOT-429
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563
品牌：DIODES
历史单价：0.55935（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2欧姆@500mA，10V
漏源极电压（Vdss） 60V
工作温度(Tj) -65°C~150°C
封装/外壳 SOT-563，SOT-666
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
品牌：ST
历史单价：4.77451（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 19毫欧@5A，10V
连续漏极电流Id@25℃ 10A
输入电容(Ciss)(Max) 724pF
功率(Max) 2.7W
封装/外壳 SOT96-1
