阈值电压Vgs(th) 1V@100µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.2欧姆@200mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

连续漏极电流Id@25℃ 200mA

栅极电荷(Qg)(Max) 1.4nC

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-723

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 60A

导通电阻Rds On(Max) 11.5mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 50nC

输入电容(Ciss)(Max) 2350pF

功率(Max) 110W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 TO-220

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 75毫欧@10A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 55V

连续漏极电流Id@25℃ 20.3A

导通电阻Rds On(Max) 75mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 11nC

输入电容(Ciss)(Max) 483pF

功率(Max) 62W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 50毫欧@14A，10V

漏源极电压（Vdss） 110V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 110V

连续漏极电流Id@25℃ 27.6A

导通电阻Rds On(Max) 50mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 30nC

输入电容(Ciss)(Max) 1240pF

功率(Max) 107W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 59毫欧@5A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 17A

导通电阻Rds On(Max) 59mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 7.8nC

输入电容(Ciss)(Max) 494pF

功率(Max) 37W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 8.7毫欧@20A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 Digi-Key已不再提供

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 87A

导通电阻Rds On(Max) 8.7mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 46nC

输入电容(Ciss)(Max) 3159pF

功率(Max) 147W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)