阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 125毫欧@5A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 55V

连续漏极电流Id@25℃ 11A

导通电阻Rds On(Max) 125mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 6nC

输入电容(Ciss)(Max) 338pF

功率(Max) 36W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 18毫欧@20A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 55V

连续漏极电流Id@25℃ 47.4A

导通电阻Rds On(Max) 18mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 21.9nC

输入电容(Ciss)(Max) 1263pF

功率(Max) 85W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 2.1V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.4毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 过期

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 120A

导通电阻Rds On(Max) 3.4mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 95nC

输入电容(Ciss)(Max) 13490pF

功率(Max) 293W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 102毫欧@5A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 15A

导通电阻Rds On(Max) 102mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 12.2nC

输入电容(Ciss)(Max) 779pF

功率(Max) 60W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 7毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 7.0mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 31nC

输入电容(Ciss)(Max) 1773pF

功率(Max) 105W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-669,LFPAK,Power-SO8)

阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 22毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 55V

连续漏极电流Id@25℃ 43A

导通电阻Rds On(Max) 22mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 1724pF

功率(Max) 94W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK

阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 20毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 55V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 55V

连续漏极电流Id@25℃ 48A

导通电阻Rds On(Max) 20mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 2210pF

功率(Max) 103W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK

阈值电压Vgs(th) 2V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 15毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 75V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 75V

连续漏极电流Id@25℃ 64A

导通电阻Rds On(Max) 15mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 35nC

输入电容(Ciss)(Max) 4029pF

功率(Max) 167W

工作温度(Tj) -55°C~185°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK

FET类型 N沟道

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 70A

导通电阻Rds On(Max) 6.3mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 28.1nC

输入电容(Ciss)(Max) 1912pF

功率(Max) 79W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 LFPAK33-8

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 67毫欧@5A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 14A

导通电阻Rds On(Max) 67mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 6.7nC

输入电容(Ciss)(Max) 334pF

功率(Max) 31W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 LFPAK33-8