N沟道 VDS=80V VGS=±20V ID=30A P=62W
品牌：Nexperia
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阈值电压Vgs(th) 4V@1mA
FET类型 N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 27毫欧@5A，10V
漏源极电压（Vdss） 80V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
漏源电压(Vdss) 80V
连续漏极电流Id@25℃ 30A
导通电阻Rds On(Max) 27mΩ
栅极电荷(Qg)(Max) 19.5nC
输入电容(Ciss)(Max) 1306pF
功率(Max) 62W
工作温度(Tj) -55°C~175°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 LFPAK33-8
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
零件状态 Digi-Key已不再提供
晶体管类型 PNP
Vce饱和压降(Max) 150mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 200
集电极电流Ic(Max) 100mA
集射极击穿电压Vce(Max) 50V
功率(Max) 250mW
跃迁频率 -
工作温度(Tj) 150°C
TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
跃迁频率 180MHz
封装/外壳 SOT-883B,DFN1006B-3
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 35
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 30
功率(Max) 200mW
封装/外壳 SOT-323，SC-70
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883
封装/外壳 SOT-883,DFN1006-3
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 100
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 80
集电极电流Ic(Max) 20mA
