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通用三极管 达林顿三极管 带预偏置三极管 MOSFETs JFETs 可控硅/晶闸管/光电可控硅 功率模块 IGBT
MOSFETs JCET CJ3439KDW

品牌:JCET

历史库存:3000

历史单价:0.31500(最新价格请咨询

MOSFETs NCE NCE2302

功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):59mΩ 2.5V,2.5A 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A 类型:N沟道 N沟道

品牌:NCE

历史库存:2900

历史单价:0.19799(最新价格请咨询

MOS场效应管(单) NCE NCE3090K

VDS=30V ID=90A PD=105W VGS=±20V

品牌:NCE

历史库存:2491

历史单价:1.09200(最新价格请咨询

MOS场效应管(单) NCE NCE01H10D

VDS=100V ID=100A PD=200W VGS=±20V

品牌:NCE

历史库存:704

历史单价:4.45500(最新价格请咨询

MOS场效应管(单) NCE NCE6080A

VDS=60V ID=80A PD=110W VGS=±20V

品牌:NCE

历史库存:2000

历史单价:2.29500(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi AOD400

Vds=30V Id=21.8A TO-252 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):21.8A 功率(Pd):3.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,21.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250μA

品牌:VBsemi

历史库存:198

历史单价:1.48375(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi AP2306N

Vds=20V Id=5A SOT23-3 类型 N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):2.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):12nC@5V 输入电容(Ciss@Vds):865pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):55pF@10V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

品牌:VBsemi

历史库存:35

历史单价:0.26390(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi AP2301N

Vds=20V Id=4.5A SOT23-3 类型 P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):835pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):155pF@10V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

品牌:VBsemi

历史库存:465

历史单价:0.36570(最新价格请咨询

MOSFETs ALLPOWER AP2301B

品牌:ALLPOWER

历史库存:3000

历史单价:0.08250(最新价格请咨询

MOS场效应管(单) NCE NCE40P05Y

VDS=-40V ID=-5.3A PD=1.4W VGS=±20V

品牌:NCE

历史库存:2902

历史单价:0.26250(最新价格请咨询

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