MOSFET N-CH 100V 35A TO-220
品牌：ST
历史库存：200
历史单价：2.24572（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4V@250µA
FET类型 N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 45毫欧@15A，10V
漏源极电压（Vdss） 100V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
输入电容(Ciss)(Max) 1180pF
工作温度(Tj) -55°C~175°C
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
品牌：ON
历史库存：100
历史单价：2.04813（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 94毫欧@6A，10V
漏源极电压（Vdss） 60V
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-428,DPAK
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220
历史库存：50
历史单价：12.49299（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) -
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 10.5欧姆@1A，10V
漏源极电压（Vdss） 1500V（1.5kV）
栅极电荷(Qg)(Max) 34nC
工作温度(Tj) 150°C
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
历史单价：10.00001（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 110毫欧@1.5A，10V
输入电容(Ciss)(Max) 455pF
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
历史单价：9.95540（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 165毫欧@10A，10V
漏源极电压（Vdss） 600V
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220FP
历史单价：6.57585（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4.5V@100µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.8欧姆@2.6A，10V
漏源极电压（Vdss） 800V
工作温度(Tj) -55°C~150°C
MOSFET N-CH 20V 210MA SOT-723
历史单价：0.50714（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.3V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.4欧姆@10mA，4.5V
漏源极电压（Vdss） 20V
连续漏极电流Id@25℃ 210mA
栅极电荷(Qg)(Max) -
输入电容(Ciss)(Max) 11pF
封装/外壳 SOT-723
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
历史单价：3.75075（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4.5V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 24毫欧@16A，10V
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
品牌：Infineon
历史库存：5
历史单价：5.84775（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 75毫欧@18A，10V
漏源极电压（Vdss） 200V
栅极电荷(Qg)(Max) 123nC
输入电容(Ciss)(Max) 2159pF
封装/外壳 TO-247 ,SOT-429
MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
历史库存：10
历史单价：13.78850（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 5V@100µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 72.5毫欧@15A，10V
