MOSFETs IRF530
品牌：iscsemi
历史库存：100
历史单价：2.27500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4V@250µA
元件生命周期 Active
存储温度 -55~+175℃
原产国家 China
原始制造商 Inchange Semiconductor Company Limited
品牌 Iscsemi
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
漏源电压(Vdss) 100V
导通电阻Rds On(Max) 180mΩ
输入电容(Ciss)(Max) 600pF
安装类型 DIP
封装/外壳 TO-220AB
品牌：SK
历史库存：8000
历史单价：0.13801（最新价格请咨询）
MOS(场效应管) 30V 100mA 1.5V 150mW N沟道
品牌：JCET
历史单价：0.14374（最新价格请咨询）
FET类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流Id@25℃ 100mA
导通电阻Rds On(Max) 8Ω
栅极电荷(Qg)(Max) -
功率(Max) 150mW
工作温度(Tj) 150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
MOSFETs 380mAmps 60V N–Channel SOT-23
品牌：LRC
历史库存：1980
历史单价：0.07500（最新价格请咨询）
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流Id@25℃ 320mA
导通电阻Rds On(Max) 2.8Ω
栅极电荷(Qg)(Max) 0.44nC
输入电容(Ciss)(Max) 35pF
功率(Max) 420mW
工作温度(Tj) -55°C~150°C
封装/外壳 SOT-23
历史库存：3000
历史单价：0.16801（最新价格请咨询）
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
品牌：ON
历史库存：50
历史单价：3.37500（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4.7欧姆@950mA，10V
漏源极电压（Vdss） 600V
连续漏极电流Id@25℃ 1900mA
输入电容(Ciss)(Max) 235pF
封装/外壳 SOT-428,DPAK
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
品牌：Vishay
历史单价：4.52478（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 3V@250µA
FET类型 P沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 64毫欧@5A，10V
漏源极电压（Vdss） 60V
输入电容(Ciss)(Max) -
IGBT Field Stop 600V 80A 290W Through Hole TO-247
历史库存：20
历史单价：13.91499（最新价格请咨询）
功率(Max) 290W
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 TO-247 ,SOT-429
IGBT 600V 160A 250W Through Hole TO-264
历史库存：25
历史单价：21.89606（最新价格请咨询）
零件状态 不可用于新设计
功率(Max) 250W
IGBT Field Stop 650V 80A 349W Through Hole TO-3PN
历史单价：18.59000（最新价格请咨询）
功率(Max) 349W
工作温度(Tj) -55°C~175°C
