N-Channel 75V 130A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
品牌：Infineon
历史库存：50
历史单价：6.00750（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4V@250µA
FET类型 N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 7.8毫欧@78A，10V
漏源极电压（Vdss） 75V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
栅极电荷(Qg)(Max) 250nC
工作温度(Tj) -55°C~175°C
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8DFN
品牌：AOS
历史库存：103
历史单价：0.67500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 20毫欧@8A，10V
漏源极电压（Vdss） 30V
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
MOSFET N-CH 100V 42A TO-220AB
历史库存：100
历史单价：9.15300（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 36毫欧@22A，10V
漏源极电压（Vdss） 100V
MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8
品牌：ROHM
历史库存：3000
历史单价：1.89000（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.5V@1mA
FET类型 P沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 8毫欧@12A，10V
输入电容(Ciss)(Max) 3200pF
工作温度(Tj) 150°C
MOSFET N-CH 30V 23A 8SOIC
历史库存：200
历史单价：2.36250（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.2V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 3.7毫欧@20A，10V
封装/外壳 SOT96-1
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP
历史库存：30
历史单价：10.37340（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 3.5V@510µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 190毫欧@6.2A，13V
漏源极电压（Vdss） 500V
零件状态 过期
栅极电荷(Qg)(Max) 47.2nC
输入电容(Ciss)(Max) 1137pF
MOSFET N-CH 100V 3.3A DFN5X6
历史单价：3.99615（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.7V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 79毫欧@7.5A，10V
输入电容(Ciss)(Max) 942pF
MOSFET N-CH 100V 14.5A 8DFN
历史单价：7.41090（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 3.4V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 16.5毫欧@20A，10V
输入电容(Ciss)(Max) 1307pF
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
历史库存：10
历史单价：7.62750（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 15毫欧@45A，10V
MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC
历史库存：20
历史单价：8.28000（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 40毫欧@28A，10V
漏源极电压（Vdss） 200V
栅极电荷(Qg)(Max) 234nC
输入电容(Ciss)(Max) 4057pF
封装/外壳 TO-247 ,SOT-429
