阈值电压Vgs(th) 1.5V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 180毫欧@2A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 45V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

连续漏极电流Id@25℃ 2000mA

输入电容(Ciss)(Max) 200pF

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 4V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 4.2毫欧@115A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

FET类型 P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 95毫欧@4.5A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-346

阈值电压Vgs(th) 4.5V@100µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 880毫欧@5.5A，10V

漏源极电压（Vdss） 900V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 TO-247 ,SOT-429

阈值电压Vgs(th) 1V@250µA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 16.4毫欧@10A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

连续漏极电流Id@25℃ 25A

功率(Max) 23W

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 1V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 24毫欧@6A，10V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-346

阈值电压Vgs(th) 3V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 250毫欧@1.8A，10V

漏源极电压（Vdss） 60V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 1.4A

导通电阻Rds On(Max) 250mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 3.2nC

输入电容(Ciss)(Max) 166pF

功率(Max) 625mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

阈值电压Vgs(th) 800mV@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2.2欧姆@200mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 50V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

连续漏极电流Id@25℃ 200mA

栅极电荷(Qg)(Max) -

工作温度(Tj) 150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 2.1V@1mA

FET类型 N+N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 8毫欧@10A，10V

漏源极电压（Vdss） 40V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 40V

连续漏极电流Id@25℃ 30A

导通电阻Rds On(Max) 8mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 15.7nC

输入电容(Ciss)(Max) 2110pF

功率(Max) 53W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 LFPAK56-8

阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA

FET类型 N沟道

漏源电压(Vdss) 60V

连续漏极电流Id@25℃ 300mA

导通电阻Rds On(Max) 5Ω

栅极电荷(Qg)(Max) -

输入电容(Ciss)(Max) 50pF

功率(Max) 830mW

工作温度(Tj) -65°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-23,TO-236AB