功率(Pd)：225mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V 1mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω 5V,200mA 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：200mA 类型：N沟道 N沟道,50V,0.2A,3.5Ω@5V
品牌：LRC
历史库存：894
历史单价：0.16801（最新价格请咨询）
封装/外壳 SOT-23
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
品牌：Infineon
历史库存：25
历史单价：3.08490（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.5V@250µA
FET类型 P沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 13.5毫欧@11A，10V
漏源极电压（Vdss） 30V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT96-1
MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB
历史库存：20
历史单价：19.49250（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 5V@250µA
FET类型 N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 46毫欧@26A，10V
漏源极电压（Vdss） 250V
工作温度(Tj) -40°C~175°C
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46
1.2VDRIVEPCHMOSFET
品牌：ROHM
历史库存：1500
历史单价：0.23734（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1V@100µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 1.6欧姆@200mA，4.5V
漏源极电压（Vdss） 20V
连续漏极电流Id@25℃ 200mA
栅极电荷(Qg)(Max) 1.4nC
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
历史库存：8
历史单价：22.03975（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 26毫欧@46A，10V
漏源极电压（Vdss） 200V
封装/外壳 SOT-404,D2PAK
MOSFET N-CH 55V 47A TO-220AB
历史单价：6.76200（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 22毫欧@25A，10V
漏源极电压（Vdss） 55V
工作温度(Tj) -55°C~175°C
MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK
历史库存：75
历史单价：1.90970（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 175毫欧@6.6A，10V
MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK
历史单价：1.79550（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 600毫欧@2.9A，10V
MOSFET P-CH 100V 23A TO-247AC
历史库存：50
历史单价：11.01750（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 117毫欧@13A，10V
漏源极电压（Vdss） 100V
封装/外壳 TO-247 ,SOT-429
MOSFETN-CH40V100A8DFN
品牌：AOS
历史库存：100
历史单价：2.87375（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.4V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2.4毫欧@20A，10V
漏源极电压（Vdss） 40V
封装/外壳 V-DFN3030-8
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