MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
品牌：Vishay
历史库存：100
历史单价：1.78241（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 2.9V@250µA
FET类型 N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 234毫欧@1.5A，10V
漏源极电压（Vdss） 100V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
连续漏极电流Id@25℃ 2300mA
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-346
MOSFET N-CH 900V 6A TO-220F
品牌：ON
历史库存：50
历史单价：5.53284（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 5V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 2.3欧姆@3A，10V
漏源极电压（Vdss） 900V
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
历史单价：3.30750（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 3V@250µA
FET类型 P沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 13毫欧@11A，10V
漏源极电压（Vdss） 30V
输入电容(Ciss)(Max) 2470pF
封装/外壳 SOT96-1
MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC
历史单价：1.94440（最新价格请咨询）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 7.9毫欧@20A，10V
输入电容(Ciss)(Max) 1155pF
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
历史库存：30
历史单价：7.48801（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 3.5V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 199毫欧@10A，10V
漏源极电压（Vdss） 600V
MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN
历史单价：10.12500（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 4V@250µA
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 7.5毫欧@14.5A，10V
输入电容(Ciss)(Max) 3135pF
MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
历史单价：4.53681（最新价格请咨询）
FET类型 P+P沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 120毫欧@3.1A，10V
漏源极电压（Vdss） 60V
连续漏极电流Id@25℃ 2.4A
输入电容(Ciss)(Max) -
功率(Max) 1.4W
工作温度(Tj) -55°C~175°C
MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33
历史单价：3.17460（最新价格请咨询）
FET类型 N+N沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 20毫欧@6A，10V
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
历史单价：2.53162（最新价格请咨询）
阈值电压Vgs(th) 1.4V@250µA
FET类型 N+P沟道
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 40毫欧@4.2A，4.5V
漏源极电压（Vdss） 20V
连续漏极电流Id@25℃ 4.5A
功率(Max) 7.8W
IGBT NPT 1200V 64A 500W Through Hole TO-264
历史库存：60
历史单价：24.52663（最新价格请咨询）
零件状态 不可用于新设计
功率(Max) 500W
