Vds=30V Id=5.3A SOT23-3 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.5A 功率(Pd)：1.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10V,3.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.1V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：4.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):335pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：17pF@15V 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
品牌：VBsemi
历史单价：0.45750（
Vds=20V Id=4.5A SOT23-3 类型 P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,5.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：10nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：835pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：155pF@10V 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
品牌：VBsemi
历史单价：0.30450（
Vds=60V Id=4A SOT23-3 类型 N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.66W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：75mΩ@10V,1.9A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：4.2nC@5V 输入电容(Ciss@Vds)：180pF@30V 反向传输电容(Crss@Vds)：13pF@30V 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
品牌：VBsemi
历史单价：1.01700（
Vds=20V Id=3.6A SOT23-6 类型 P+P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：75mΩ@4.5V,2.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：5.2nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：210pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：33pF@10V 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
品牌：VBsemi
历史单价：0.94920（
SPTECH Silicon NPN Power Transistor TO-3P
品牌：SPTECH
历史单价：15.60000（
