功率(Pd)：1W 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：46mΩ 10V,4.4A 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.7A 类型：P沟道 P沟道，-30V，-4.4A
品牌：WILLSEMI
历史单价：0.45001（
场效应管 TSOP-6 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.8A 功率(Pd)：3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250μA P沟道,-30V,-4.8A,38mΩ@10V
品牌：VBsemi
历史单价：0.95620（
场效应管 TSOP-6 类型 1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 功率(Pd)：1.15W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@10V,2.5A；55mΩ@10V,1.8A 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj) N+P沟道,20V,5.5A,22mΩ@4.5V
品牌：VBsemi
历史单价：1.00058（