Vds=20V Id=3.6A TSOP-6 类型 P+P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：75mΩ@4.5V,2.5A；阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：5.2nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：210pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：33pF@10V 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
品牌：VBsemi
历史单价：1.01700（
Vds=20V Id=5.5A,3.4A SOT23-6 类型 N+P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5.5A 功率(Pd)：1.15W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@10V,2.5A；55mΩ@10V,1.8A阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.6V@250uA; 0.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：2.1nC@5V；2.4nC@5V 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
品牌：VBsemi
历史单价：0.94920（
Vds=30V Id=5.8A SOP8 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：33mΩ@10V,5.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：16nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：- 反向传输电容(Crss@Vds)：- 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
品牌：VBsemi
历史单价：1.52550（
Vds=60V Id=250mA SOT23-3 ：类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8Ω@10V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：400pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：25pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：2pF@25V 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj
品牌：VBsemi
历史单价：0.20400（
Vds=30V Id=6.2A SOP-8 类型 N+N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.8A 功率(Pd)：2.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@10V,5A；阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：15nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：586pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：55pF@15V 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
品牌：VBsemi
历史单价：1.32210（
Vds=20V Id=4.5A SOT23-3 类型 P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,5.1A；阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：10nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：835pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：155pF@10V 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
品牌：VBsemi
历史单价：0.36225（