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通用三极管 达林顿三极管 带预偏置三极管 MOSFETs JFETs 可控硅/晶闸管/光电可控硅 功率模块 IGBT
MOSFETs iscsemi BUZ73A

MOSFETs BUZ73A

品牌:iscsemi

历史库存:100

历史单价:2.70000(最新价格请咨询

MOS管 Slkor SL11N65CF

TO-220F Pd=32.6W N沟道

品牌:Slkor

历史库存:100

历史单价:4.05000(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi NTS2101PT1G

Vds=20V Id=1.4A SC70-3 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.1A 功率(Pd):500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@4.5V,1.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):2.7nC@2.5V 输入电容(Ciss@Vds):272pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):44pF@10V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

品牌:VBsemi

历史库存:50

历史单价:0.58470(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi NTZD3155CT2G

Vds=20V Id=0.6A,0.4A SC75-6 类型:N-P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):0.6A,0.4A 功率(Pd):1.15W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.02Ω@10V,0.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):2.1,2.4nC@5V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

品牌:VBsemi

历史库存:500

历史单价:1.01700(最新价格请咨询

MOSFET VBsemi STN3NF06L

SOT-223 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):1.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.029Ω@10V,7A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA

品牌:VBsemi

历史库存:76

历史单价:1.76280(最新价格请咨询

MOSFETs VBsemi VBTA161K

Vds=60V Id=330mA SC75-3 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):330mA 功率(Pd):0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2mΩ@10V,330mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):0.6nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):30pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):2.5pF@25V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(T

品牌:VBsemi

历史库存:500

历史单价:0.68220(最新价格请咨询

MOSFETs NCE NCE2301

场效应管MOSFET P沟道 -20V -3A 64毫欧

品牌:NCE

历史库存:2980

历史单价:0.18599(最新价格请咨询

MOSFETs PJ PJM3416NSA

N沟道 20V 22mΩ 900mW

品牌:PJ

历史库存:100

历史单价:0.19250(最新价格请咨询

MOSFETs PJ PJM4602DNSG-S

2个N沟道 20V 60mΩ 1W 2A

品牌:PJ

历史库存:100

历史单价:0.22750(最新价格请咨询

MOSFETs PJ PJM4603CSG

N+P通道 60mΩ 800mW 20V 300mA 2.9nC

品牌:PJ

历史库存:100

历史单价:0.21875(最新价格请咨询

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