元件生命周期 Active

原产国家 China

原始制造商 Guangdong Hottech Co. Ltd.

品牌 Hottech

零件状态 在售

集射极击穿电压Vce(Max) 50V

功率(Max) 500mW

跃迁频率 100MHz

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) -

漏极电流Idss 350mA

FET类型 N+N沟道

漏源极电压（Vdss） 60V

漏源电压(Vdss) -

连续漏极电流Id@25℃ -

导通电阻Rds On(Max) -

安装类型 表面贴装(SMT)

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 9毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 75V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 过期

漏源电压(Vdss) 75V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 9mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 113.1nC

输入电容(Ciss)(Max) 4860pF

功率(Max) 230W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 50毫欧@14A，10V

漏源极电压（Vdss） 100V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 100V

连续漏极电流Id@25℃ 28A

导通电阻Rds On(Max) 50mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 30nC

输入电容(Ciss)(Max) 1240pF

功率(Max) 107W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-404,D2PAK

阈值电压Vgs(th) 2.15V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 6.3毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 25V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 25V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 6.3mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 11.7nC

输入电容(Ciss)(Max) 1570pF

功率(Max) 107W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK

阈值电压Vgs(th) 1.5V@250µA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 16毫欧@25A，5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 44.7A

导通电阻Rds On(Max) 16mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 15.1nC

输入电容(Ciss)(Max) 800pF

功率(Max) 57.6W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK

阈值电压Vgs(th) 2.5V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 5.5毫欧@25A，10V

漏源极电压（Vdss） 30V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 30V

连续漏极电流Id@25℃ 75A

导通电阻Rds On(Max) 5.5mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 23nC

输入电容(Ciss)(Max) 2180pF

功率(Max) 166W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-428,DPAK

阈值电压Vgs(th) 4V@1mA

FET类型 N沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 70毫欧@13A，10V

漏源极电压（Vdss） 110V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 110V

连续漏极电流Id@25℃ 23A

导通电阻Rds On(Max) 70mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 22nC

输入电容(Ciss)(Max) 830pF

功率(Max) 100W

工作温度(Tj) -55°C~175°C

安装类型 通孔(THT)

封装/外壳 SOT78，TO-220AB,SC-46

阈值电压Vgs(th) 1.25V@250µA

FET类型 P+P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 79毫欧@2A，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 3A

导通电阻Rds On(Max) 79mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 7.5nC

输入电容(Ciss)(Max) 600pF

功率(Max) 515mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 DFN2020-6

阈值电压Vgs(th) 1.3V@250µA

FET类型 P+P沟道

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 850毫欧@400mA，4.5V

漏源极电压（Vdss） 20V

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

零件状态 在售

漏源电压(Vdss) 20V

连续漏极电流Id@25℃ 550mA

导通电阻Rds On(Max) 850mΩ

栅极电荷(Qg)(Max) 1.14nC

输入电容(Ciss)(Max) 87pF

功率(Max) 330mW

工作温度(Tj) -55°C~150°C

安装类型 表面贴装(SMT)

封装/外壳 SOT-666-6